引言： 日商三菱电机宣布携手旺宏合作研发高阶制程技术及高密度闪存 日商三菱电机日前宣布将于旺宏电子合作研发一百五十纳米dinor及以下高阶制程技术与128mbit高密度闪存，据了解，双方目前已经开始进行一百五十纳米制程研发，下一代的一百三十纳米高阶制程也已进规划，而128mbit高密度闪存已于本季率先...
摘要： 安大略省马克姆 - ati technologies inc.(ati科技公司)在与全球领先的动态随机存储器(dram)厂商的通力合作下，宣布已完成第三代图形双数据率(ddr) dram，即gddr3的规格设定。 目前的ddr dram速度最高可达400mhz，而gddr3的初步设计即可提供500mhz内存时钟频率，并可发展至800mhz。gddr3将在2003年出台。 “gddr3是......
摘要： 英特尔公司日前通告所有下游主板厂商将变更原定的芯片组产品规划，包括「springdale」系列及高阶「canterwood」芯片组转将导入双信道ddr400规格内存支援，而英特尔原计划明年仍延续ddr333规格并将在未来直接跨入ddr-ii规格，与之前台系芯片组厂商离力拱ddr400规格不同，此次英特尔宣布支援ddr400的意义非同寻常，因为这将使ddr400这款原本过渡意味甚浓的产品，有望扶......
［短讯］DRAM业者增加投资进行制程转换，普遍表示看好明年景气 日商三菱电机宣布携手旺宏合作研发高阶制程技术及高密度闪存 【程序编程相关:
华为三款新型ISDN终端产品面市】 【推荐阅读:
华为三款新型ISDN终端产品面市】 日商三菱电机日前宣布将于旺宏电子合作研发一百五十纳米dinor及以下高阶制程技术与128mbit高密度闪存,据了解,双方目前已经开始进行一百五十纳米制程研发,下一代的一百三十纳米高阶制程也已进规划,而128mbit高密度闪存已于本季率先量产. 【扩展信息:
ISDN：还有潜力可挖】
传nvidia「geforce fx」绘图芯片样品工作频率达到600mhz水准
...
下一页 摘要： jp morgan（jp摩根）分析师jeffrey ohlweiler 13日发表研究报告，表示jp morgan预期11月下半月dram价格将逐步下滑，但现今dram类股股价却是反映较为乐观的价格走势，因此dram类股股价有下跌风险。 承袭10月下半月ddr现货价上涨气势，11月上半月ddr合约价随之走高，但即使如此，ddr现货价仍比合约价高出10-15%。 不过jp morgan也指出......
